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Produktdetails:
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| Hervorheben: | Mikroelektronik-Industrie-Beryllium-Oxid keramisch,Mikroelektronik-Industrie-Beryllium-Oxid keramisch,Mikroelektronik-Industrie BeO keramisch |
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Beryllium-Oxid keramisch
Wir produzieren hauptsächlich Berylliumoxid, Bornitrid, Silikonkarbid, den Korundmulit, der keramisch sind, A-75, die keramisch sind, A-95, die keramisch sind, A-96, die keramisch sind, keramische A-99 und andere keramische Produkte, die im Aerospace, in der Mikroelektronik, in der Optoelektronik, in den Kommunikationen, im elektrischen Vakuum und in den Leistungselektronikindustrien weitverbreitet sind, unter denen die Fertigungstechnik von Berylliumoxidkeramik den höchsten Stand in China darstellt, und die Produktleistungsindizes erreichen das Welthohe niveau.
Technik-Daten des Beryllium-Oxids keramisch
| Einzelteil | Testbedingungen | Spezifikation | Einheit | |
| B-97 | B-99 | |||
| Dielektrizitätskonstante | 1MHz | 6,9 士 0,4 | 6,9 士 0,4 | |
| (10 士 0,5) Gigahertz | ||||
| Dielektrischer Verlust-Tangente | 1MHz | ≤4X 10-4 | ≤4X 10-4 | |
| (10 士 0,5) Gigahertz | ≤8X 10-4 | ≤8X 10-4 | ||
| Spezifischer Durchgangswiderstand | 25℃ | ≥1014 | ≥1014 | Ω.cm |
| 300℃ | ≥10“ | ≥10“ | ||
| Zusammenbruch-Stärke | D C | ≥15 | ≥20 | kV/mm |
| CMOR | - | ≥170 | ≥190 | MPa |
| Durchschnittlicher Längenausdehnungskoeffizient | 25℃~500℃ | (7.0~8.5) *10-4 | (7.0~8.5) *10-4 | I/K |
| Wärmeleitfähigkeit | 25℃ | ≥200 | ≥240 | W/m.K |
| 100℃ | ≥160 | ≥190 | ||
| Temperaturwechselbeständigkeit | 0℃-800℃ | Es sollte keine Sprünge geben | ||
| Schüttdichte | ≥2.85 | ≥2.85 | g/ cm3 | |
| Chemische Stabilität | 1:9HCL | ≤0.3 | ≤0.3 | Mg/cm2 |
| 10% NaOH | ≤0.2 | ≤0.2 | ||
| Luftdichtheit | - | ≤10*10-11 | ≤10*10-11 | PA. m3 /s |
| Durchschnittliche Korngröße | - | 12~30 | 12~30 | μm |
Ansprechpartner: Mr. Pika
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